TK16G60W5,RVQ

Toshiba
757-TK16G60W5RVQ
TK16G60W5,RVQ

制造商：

说明：
MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

数据表:
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库存量: 991

库存：
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生产周期：
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥34.239 ¥34.24
¥22.6678 ¥226.68
¥18.193 ¥1,819.30
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥14.803 ¥14,803.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
15.8 A
230 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
130 W
Enhancement
DTMOSIV
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 5 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 40 ns
系列: TK16G60W
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 75 ns
单位重量: 1.590 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TK16x60W Si N沟道MOSFET (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N沟道MOSFET (DTMOSIV) 采用DTMOSIV代芯片设计，有各种型号可供选择。Si N沟道MOSFET具有低漏源导通电阻和快速反向恢复能力。这些MOSFET可轻松控制栅极开关。TK16x60W MOSFET有各种尺寸可选，采用DFN8x8、TO-247、TO-3P(N)、D2PAK、TO-220和TO-220SIS不同封装。这些 TK16x60W Si N沟道MOSFET用于开关稳压器。

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

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