TK39N60W5,S1VF

Toshiba
757-TK39N60W5S1VF
TK39N60W5,S1VF

制造商：

说明：
MOSFET Power MOSFET N-Channel

数据表:
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库存量: 4,415

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥60.2177 ¥60.22
¥36.6459 ¥366.46
¥33.7531 ¥4,050.37
¥29.4478 ¥15,018.38
¥28.2048 ¥71,076.10

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
38.8 A
62 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
135 nC
- 55 C
+ 150 C
270 W
Enhancement
DTMOSIV
Tube
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 120 ns
系列: TK39N60W5
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 200 ns
典型接通延迟时间: 180 ns
单位重量: 6 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

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