TK8A50D(STA4,Q,M)

Toshiba
757-TK8A50DSTA4QM
TK8A50D(STA4,Q,M)

制造商：

说明：
MOSFET N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 337

库存：
337
可立即发货
在途量:
250
预期 2026/3/16
生产周期：
32
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥17.1195 ¥17.12
¥8.6897 ¥86.90
¥8.4411 ¥844.11
¥6.6557 ¥3,327.85
¥5.2432 ¥5,243.20
¥5.2206 ¥13,051.50
¥5.0059 ¥25,029.50

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
8 A
850 mOhms
- 30 V, 30 V
2 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
MOSVII
Tube
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 12 ns
正向跨导 - 最小值: 1 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 20 ns
系列: TK8A50D
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 40 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and RDS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.

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