TPH3R10AQM,LQ

Name: Toshiba TPH3R10AQM,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPH3R10AQMLQ
Price: 18.89 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

757-TPH3R10AQMLQ

制造商编号：

TPH3R10AQM,LQ

制造商：

Toshiba

说明：

MOSFET 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm

数据表:

TPH3R10AQM,LQ 数据表 (PDF)

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库存量: 8,699

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¥-.--

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按5000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥21.3457	¥21.35
	¥13.7295	¥137.30
	¥9.4242	¥942.42
	¥7.5145	¥3,757.25
	¥6.893	¥6,893.00
	¥6.5201	¥16,300.25
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥6.5201	¥32,600.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Toshiba
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	120 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	83 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	210 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Toshiba
下降时间:	30 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	26 ns
系列:	U-MOS X-H
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	104 ns
典型接通延迟时间:	45 ns

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

80V N沟道U-MOS X-H MOSFET

Toshiba 80V N沟道U-MOS X-H MOSFET提供高速开关、低栅极电荷和低功耗。U-MOS X-H MOSFET提供出色的漏源导通电阻 (R_{DS(ON) x}) 传输电阻 x 输入电容 (C_iss)值，从而实现高导电性和低栅极驱动器损耗。减小的输出电容(C_OSS)降低了输出电荷(Q _OSS)，从而提高了这些器件的开关效率。这些MOSFET适用于开关稳压器、电机驱动器和高效DC-DC转换器。