TRS40N120HB,S1Q

Toshiba
757-TRS40N120HBS1Q
TRS40N120HB,S1Q

制造商:

说明:
碳化硅肖特基二极管 1200 V/40 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247

寿命周期:
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¥-.--
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数量 单价
总价
¥161.8725 ¥161.87
¥133.2609 ¥1,332.61
¥115.2261 ¥11,522.61
25,000 报价

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
Common Cathode
102 A
1.2 kV
1.27 V
2.16 kA
1.8 uA
+ 175 C
商标: Toshiba
Pd-功率耗散: 454 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
子类别: Diodes & Rectifiers
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已选择的属性: 0

CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

TRSx SiC SCHOTTKY势垒二极管

Toshiba TRSx SiC SCHOTTKY势垒二极管采用第三代芯片设计,重复峰值反向电压(VRRM)额定值为1200V。对于TRS30N120HB,每条腿的正向直流电流额定值(IF(DC))为15A,或者两条腿的正向DC电流额定值为30A;以及对于TRS40N120HB,每条腿的正向直流电流额定值为20A,或者两条腿的正向直流电流额定值为40A。这些器件采用标准TO-247软件包。Toshiba TRSx SiC肖特基势垒二极管非常适合用于功率因数校正、太阳能逆变器、不间断电源和直流-直流转换器应用。