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IRFBF30STRRPBF

Name: Vishay IRFBF30STRRPBF
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 594-IRFBF30STRRPBF
Price: 7.61 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

594-IRFBF30STRRPBF

制造商编号：

IRFBF30STRRPBF

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET MOSFET N-CHANNEL 900V

数据表:

IRFBF30STRRPBF 数据表

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	¥8.1699	¥45,751.44

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
商标:	Vishay Semiconductors
产品类型:	MOSFETs
系列:	IRFBF
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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IRFBF30STRRPBF

制造商： Vishay Semiconductors

说明： MOSFET MOSFET N-CHANNEL 900V

供货情况

定价 (含13% 增值税)

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Vishay Semiconductors

说明：

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