SQJ456EP-T2_GE3

Name: Vishay SQJ456EP-T2_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ456EP-T2_GE3
Price: 8.64 RMB
Availability: Discontinued

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请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SQJ456EP-T2_GE3

制造商编号：

SQJ456EP-T2_GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET RECOMMENDED ALT SQJA

寿命周期:

NRND:

不建议用于新设计。

数据表:

SQJ456EP-T2_GE3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO-8L-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	32 A
Rds On-漏源导通电阻:	26 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	42 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	83 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
系列:	SQJ
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
单位重量:	187 mg

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数据表

SQJ456EP-T2_GE3 数据表

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SQJ车用MOSFET

Vishay/Siliconix SQJ车用MOSFET是TrenchFET^®Gen IV N沟道40V_DS功率MOSFET。这些MOSFET符合AEC-Q101标准，并且通过了R_g和无钳位电感开关 (UIS) 测试，Q_gd/Q_gs比小于1，可优化开关特性。SQJ车用MOSFET具有非常低的R_DS(on)，工作温度范围为-55°C至175°C。这些车规级MOSFET采用PowerPAK^® SO-8L封装（单/双配置）。典型应用包括汽车、发动机管理、电机驱动器和执行器，以及电池管理。