SIC660CD-T1-GE3

Vishay
78-SIC660CD-T1-GE3
SIC660CD-T1-GE3

制造商：

说明：
栅极驱动器 60A POWER STAGE

ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Vishay SIC660CD-T1-GE3详情

库存量: 19,017

库存：
19,017 可立即发货
生产周期：
7 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥39.3692 ¥39.37
¥26.1369 ¥261.37
¥24.1481 ¥603.70
¥21.0067 ¥2,100.67
¥19.9332 ¥4,983.30
¥17.8653 ¥8,932.65
¥16.8709 ¥16,870.90
¥14.3962 ¥43,188.60
¥13.899 ¥83,394.00

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Driver ICs - Various
Low-Side
SMD/SMT
MLP55-31L
1 Driver
1 Output
60 A
2.5 V
16 V
- 40 C
+ 125 C
SIC
商标: Vishay
输入电压 - 最大值: 16 V
输入电压 - 最小值: 2.5 V
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: SiC
商标名: PowerPAK
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

PCN

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310030
ECCN:
EAR99

SiC660 60A VRPower®集成功率级

Vishay Semicductors SiC660 60A VRPower®集成功率级是专为同步降压应用设计的高频集成功率级。Vishay Semiconductors SiC660可提供大电流、高效率和高功率密度，并将关断电流降至最低。它采用Vishay 的紧凑型5mm x 5mm MLP封装，支持每相持续电流高达60A的电压调节器。其内部功率MOSFET采用Vishay先进的TrenchFET® 技术，最大限度地降低了开关和传导损耗，实现了业界领先的性能。

光隔离式MOSFET驱动器

Vishay光隔离MOSFET驱动器提供驱动低压MOSFET栅极所需的电压。栅极电压由光伏电池产生，输出侧无需电源。这样即可在使用低压MOSFET时简化设计。单通道VOM1271T提供8.4V输出电压，输入正向电流仅为10mA。双通道VO1263AACTR提供14.5V输出电压。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。