您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

SIDR220EP-T1-RE3

Name: Vishay SIDR220EP-T1-RE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIDR220EP-T1-RE3
Price: 37.11 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SIDR220EP-T1-RE3

制造商编号：

SIDR220EP-T1-RE3

制造商：

Vishay

说明：

MOSFET PPAKSO8 N-CH 25V 92.8A

数据表:

SIDR220EP-T1-RE3 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Vishay
产品类型:	MOSFETs
系列:	SIDR
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

SIDR220EP-T1-RE3 数据表

PCN

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 以色列
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

VISHAY

SiJK5100E N 通道 MOSFET

TrenchFET^® 第五代功率MOSFET，具有100V漏源电压和536W最大功耗。

了解更多的信息

SiEH4800EW 80 V TrenchFET®第四代N沟道MOSFET

采用PowerPAK^® 8mmx8mm BWL封装，导通电阻为0.00115Ω。

了解更多的信息

SiJK140E N 沟道 40 V (D-S) MOSFET

采用TrenchFET^® 第五代功率技术，非常适用于同步整流和自动化。

了解更多的信息

采用PowerPAK® 10x12封装的超结MOSFET

具备先进技术，可优化效率并尽可能降低导通过程中的功率损耗。

了解更多的信息

SiRS5700DP N 沟道 150 V (D-S) MOSFET

TrenchFET®第五代功率MOSFET，具有非常低的R_{DS x}Q_g 品质因数（FOM）。

了解更多的信息

库存量: 2,975

库存：: 2,975 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 3 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

数量大于2975的订购须受最低订购要求的限制。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥41.9343	¥41.93
	¥21.6734	¥216.73
	¥19.7637	¥1,976.37
	¥17.289	¥8,644.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥16.3737	¥49,121.10

SIDR220EP-T1-RE3

制造商： Vishay

说明： MOSFET PPAKSO8 N-CH 25V 92.8A

规格

文件 (3)

数据表

PCN

环境文件

产品与贸易合规

客户还购买了

特色产品 VISHAY

库存量: 2,975

定价 (含13% 增值税)

快速查看

出现意外错误。

制造商：

Vishay

说明：

MOSFET PPAKSO8 N-CH 25V 92.8A

特色产品

VISHAY