SIEH4800EW-T1-GE3

Vishay
78-SIEH4800EW-T1-GE3
SIEH4800EW-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

寿命周期:
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥49.381 ¥49.38
¥34.3294 ¥343.29
¥24.8148 ¥2,481.48
¥24.6453 ¥12,322.65
¥20.1027 ¥60,308.10

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
Si
SMD/SMT
PowerPAK-8
N-Channel
1 Channel
80 V
34 A
1.15 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
278 nC
- 55 C
+ 175 C
3.4 W
Enhancement
商标: Vishay
下降时间: 30 ns
正向跨导 - 最小值: 150 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 40 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 45 s
典型接通延迟时间: 140 ns
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiEH4800EW 80 V TrenchFET®第四代N沟道MOSFET

Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV N沟道MOSFET专为高效功率开关应用而设计。SiEH4800EW采用紧凑型PowerPAK® 8mmx8mm焊接式无线（BWL）封装，在10V VGS下具有0.00115Ω的超低导通电阻，从而可最大限度地减少传导损耗并改善散热性能。Vishay / Siliconix MOSFET的最大漏极连续电流为260A，栅极电荷为117nC，针对快速开关和高电流处理进行了优化，使其成为同步整流、电机驱动器和高性能DC-DC转换器的理想选择。坚固的设计和先进的沟槽技术确保在严苛环境中可靠运行。

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