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C3M0160120J

Name: Wolfspeed C3M0160120J
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0160120J
Price: 57.17 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

941-C3M0160120J

制造商编号：

C3M0160120J

制造商：

Wolfspeed

说明：

碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 160m, 1200V, TO-263-7, Industrial

数据表:

C3M0160120J 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Wolfspeed
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-263-7
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	17 A
Rds On-漏源导通电阻:	208 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 19 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.6 V
Qg-栅极电荷:	24 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	90 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Wolfspeed
配置:	Single
下降时间:	8 ns
正向跨导 - 最小值:	5.2 S
湿度敏感性:	Yes
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	8 ns
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	14 ns
典型接通延迟时间:	11 ns
单位重量:	2.387 g

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数据表

C3M0160120J 数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

碳化硅1200V MOSFET和二极管

Wolfspeed碳化硅 (SiC) 1200V MOSFET与二极管可在要求苛刻的应用中实现了更高效率的强大组合。这些MOSFET和肖特基二极管设计用于大功率应用。1200V SiC MOSFET具有稳定的R_ds(on) 过热和雪崩耐受性。这些MOSFET配备坚固耐用的体二极管，无需外部二极管，由于支持15V栅极驱动，因此易于驱动。1200 V SiC MOSFET提高了系统级效率，降低了开关和传导损耗，提高了系统级功率密度。

SiC MOSFET C3M™（采用TOLL封装）

Wolfspeed SiC MOSFET C3M™（采用TOLL封装）与标准硅MOSFET相比，导通电阻温度相关性要低得多。该MOSFET器件具有出色的开关速度和低导通损耗，这对于下一代电源在高功率下实现高效率至关重要。这些SiC MOSFET优化用于高性能电力电子应用，包括企业、服务器和电信电源、电动汽车充电系统、能量存储系统和电池管理系统。

1200V碳化硅功率MOSFET

Wolfspeed 1200V碳化硅功率MOSFET为性能、耐用性和设计简易设定了标准。Wolfspeed MOSFET具有快速开关和低开关损耗的特点，与传统的硅MOSFET和IGBT器件相比，能显著提高系统效率、功率密度，并降低总体BOM成本。

650V碳化硅功率MOSFET

Wolfspeed 650V碳化硅功率MOSFET具有低导通电阻和开关损耗，可最大限度地提高效率和功率密度。650V MOSFET优化用于高性能电力电子应用，包括服务器电源、电动汽车充电系统、能量存储系统、太阳能 (PV) 逆变器、不间断电源和电池管理系统。与硅器件相比，Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET可将开关损耗降低75%，导通损耗变成 ½，功率密度提高3倍。