AFGB30T65RQDN

onsemi
863-AFGB30T65RQDN
AFGB30T65RQDN

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT - 650V 30A -Short circuit rated FS4 - Automotive

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¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥35.482 ¥35.48
¥23.3232 ¥233.23
¥17.4585 ¥1,745.85
¥15.5488 ¥7,774.40
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
¥13.7295 ¥10,983.60

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
D2PAK-3
SMD/SMT
Single
650 V
1.58 V
20 V, 30 V
68 A
235.48 W
- 55 C
+ 175 C
AFGB30T65RQDN
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
产品类型: IGBTs
工厂包装数量: 800
子类别: Transistors
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

USHTS:
8541290095
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

AFGB30T65RQDN IGBT

安森美 (onsemi) AFGB30T65RQDN绝缘栅极双极晶体管（IGBT）可为汽车应用提供最佳性能。  该IGBT具有大电流能力、快速开关、高输入阻抗和收紧的参数分布。AFGB30T65RQDN IGBT具有短路额定值，同时兼具高品质因数及低导通损耗和低开关损耗。 该IGBT满足AEC-Q101要求，无铅，符合RoHS标准。典型应用包括HEV/EV的电动压缩机和HEV/EV的PTC加热器。

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