FDC3535

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FDC3535

制造商编号：

FDC3535

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET MOSFET; -80V P-Chan PowerTrench

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

FDC3535 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

发货提醒：

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SSOT-6
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	2.1 A
Rds On-漏源导通电阻:	147 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	14 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.6 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
正向跨导 - 最小值:	6.3 S
产品类型:	MOSFETs
系列:	FDC3535
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
单位重量:	36 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

FDC3535 数据表 (PDF)

EOL

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

FDC3535 P通道Power Trench MOSFET

Fairchild Semiconductor FDC3535 P通道Power Trench™ MOSFET采用其先进的Power Trench®工艺，针对r_DS(on)、开关性能和耐用性做了优化。FairchildFDC3535 P通道Power Trench™ MOSFET 提供-80V V_{DS、-2.1A连续漏电流，在VGS}_{下为183mΩ，}采用高性能沟槽技术，实现了极低的r_{DS(on)（导通电阻）}，拥有高功率、高电流处理能力，封装采用广泛使用的表面贴装，具有快速的开关速度，100%通过了UIL测试并符合RoHS指令。这些元器件非常适合负荷开关及同步整流器应用。
了解更多