onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET

安森美 (onsemi) NVNJWS1K6N061L N沟道MOSFET具有低RDS_(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。 该MOSFET的漏源电压为60V，栅源电压为±20V，脉冲漏极电流为6.47A。NVNJWS1K6N061L MOSFET通过AEC-Q101认证，支持PPAP，且为无铅产品。该MOSFET的工作温度范围为-55°C至+175°C。典型应用包括低侧负载开关、DC-DC转换器(降压与升压电路)、OBC、电机控制、风扇泵和LED照明。