FDMS7620S

onsemi
512-FDMS7620S
FDMS7620S

制造商：

说明：
MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解onsemi FDMS7620S详情

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
Power-56-8
N-Channel
2 Channel
30 V
10.1 A, 12.4 A
20 mOhms, 11.2 mOhms
20 V
1 V
11 nC, 23 nC
- 55 C
+ 150 C
2.2 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
配置: Dual
下降时间: 1.4 ns, 1.5 ns
正向跨导 - 最小值: 22 S, 53 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 1.2 ns, 1.8 ns
系列: FDMS7620S
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 11.9 nS, 17.4 nS
典型接通延迟时间: 5.2 nS, 6.6 nS
单位重量: 211 mg
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
泰国
组装原产国/地区:
泰国
扩散国家:
中国台湾
发货时，国家/地区可能会发生变化。

Fairchild Power Trench™ MOSFETs

Fairchild's PowerTrench® MOSFETs are optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. These PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing Fairchild's advanced technology, the FOM (figure of merit) of these devices is 66 percent lower than that of the previous generation. The soft body diode performance of these PowerTrench® MOSFETs are able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFETs that need this circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. These Fairchild PowerTrench® MOSFETs provide designers the opportunity to significantly increase system efficiency and power density in synchronous rectification applications.
Learn More

Power Trench MOSFETs EXPANSION

ON Semiconductor has expanded its line of Power Trench MOSFETs to offer different drain-to-source voltages, drain current and RDS(ON). Additional features in this expansion of the ON Semiconductor Power Trench® MOSFETs include advanced package and silicon combination for low RDS(ON) and high efficiency, thermally efficient packages, and next generation enhanced body diode technology engineered for soft recovery. Applications for these Power Trench® MOSFETs include synchronous rectifiers for DC/DC converters, notebook or networking low side switch, telecom secondary side rectification, load switches, and many more.
Learn More

ON Semiconductor offers both N-Channel and P-Channel versions of MOSFETs using their advanced Power Trench process that has been optimized for low RDS(ON) switching performance and ruggedness.
View the entire Power Trench® MOSFETs offering

FDMS36xxS功率级非对称双MOSFET

Fairchild Semiconductor FDMS36xxS功率级非对称双MOSFET模块是市面上所有5mmx6mm双MOSFET解决方案中输出电流能力最高的产品。Fairchild FDMS36xxS非对称双MOSFET模块将一个控制和同步MOSFET模块以及一个单片肖特基体二极管集成在一个PQFN封装中。这些器件的开关节点已获内部连接，能够轻易进行同步降压转换器的布局和走线。控制MOSFET和同步MOSFET设计用于为高达30A的输出电流提供最佳功效。这些Fairchild Semiconductor器件可在高性能计算的额定击穿电压下，获得低于2mΩ的业界领先低端rDS(on)。FDMS36xxS MOSFET模块经过优化，可最大程度减小300kHz-600kHz范围的综合传导损耗和开关损耗，为负载点和多相同步降压DC-DC应用带来可靠的最高功效。
了解更多

PowerTrench® MOSFET

仙童 提供业界最齐全的 PowerTrench® MOSFET 产品组合。您可以从多种技术中选择适合您应用的 MOSFET。仙童 提供 N 沟道和 P 沟道版本的 MOSFET，利用其先进的 Power Trench® 工艺，该工艺经优化实现了低 RDS(ON) 开关性能和坚固性。这些 PowerTrench® MOSFET 可满足几乎任何应用的需要，如负载开关、一次开关、移动计算、直流-直流转换器、同步整流器等等。
了解更多

库存量: 5,215

库存：
5,215 可立即发货
生产周期：
21 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥17.9444 ¥17.94
¥8.6897 ¥86.90
¥7.7405 ¥774.05
¥6.1585 ¥3,079.25
¥5.9099 ¥5,909.90
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥5.1302 ¥15,390.60
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

出现意外错误。


有问题需要帮助？请访问帮助中心。
如对特定订单有疑问，请登录您的账户。

如遇其他问题，请致电 800-346-6873 或发送邮件至 help@mouser.com 联系我们。