FDMS86255

onsemi
512-FDMS86255
FDMS86255

制造商：

说明：
MOSFET 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET

数据表:
ECAD模型:
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onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
Power-56-8
N-Channel
1 Channel
150 V
45 A
25 mOhms
20 V
4 V
63 nC
- 55 C
+ 150 C
113 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 10 ns
系列: FDMS86255
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 34 ns
单位重量: 56.500 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

N通道PowerTrench® MOSFET

Fairchild Semiconductor N通道PowerTrench® MOSFET采用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench®工艺制成，此种工艺专门设计用以将通态电阻降至最低，同时保持出众的开关性能。Fairchild Semiconductor N通道PowerTrench® MOSFET具有30V-250V各种漏极至源极电压规格。

FDD10N20LZ和FDD7N25LZ均为N通道增强型模式功率场效应晶体管，采用Fairchild的专有平面条状和DMOS技术制成。该先进技术特别设计用于将通态电阻降至最低，提供出众的开关性能，且能承受雪崩和换流模式下的高能脉冲。这些器件非常适用于高效开关模式电源和主动功率因数校正。

FDMC6296是一款单N通道MOSFET，采用高热效率MicroFET封装。其经过特别设计以确保负载点转换器中的出色表现。通过提供rDS(on)和栅极电荷之间的最佳平衡，此器件可有效用作一个“高侧”控制开关或“低侧”同步整流器。
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库存量: 16,120

库存：
16,120 可立即发货
生产周期：
52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1   最多： 3000
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥49.8782 ¥49.88
¥26.216 ¥262.16
¥22.6678 ¥2,266.78
¥21.0067 ¥10,503.35
¥20.5999 ¥20,599.90
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥20.5999 ¥61,799.70
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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