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FDMT800100DC

Name: onsemi FDMT800100DC
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMT800100DC
Price: 78.84 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FDMT800100DC

制造商编号：

FDMT800100DC

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO

数据表:

FDMT800100DC 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DualCool-88-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	162 A
Rds On-漏源导通电阻:	5.39 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	79 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	156 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	10 ns
正向跨导 - 最小值:	66 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	18 ns
系列:	FDMT800100DC
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-channel
典型关闭延迟时间:	40 ns
典型接通延迟时间:	29 ns
单位重量:	248.520 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

能源基础设施解决方案

安森美 (onsemi) 能源基础设施解决方案旨在解决不断发展变化的能源产生、分配和存储问题，从而达到政府政策设定的目标并满足不断增长的消费需求。能源基础设施的演变重点关注以下方面：提高效率目标、减少二氧化碳排放量以及重视可再生清洁能源。安森美提供全面的高能效解决方案，可满足各种大功率应用的苛刻要求，包括碳化硅 (SiC) 二极管、智能功率模块和电流检测放大器。

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本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥89.0892	¥89.09
	¥49.4601	¥494.60
	¥46.9854	¥4,698.54
	¥44.4203	¥44,420.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥44.4203	¥133,260.90

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

FDMT800100DC

制造商： onsemi

说明： MOSFET N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO

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