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现货

RoHS

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FDP047N08

onsemi

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FDP047N08

制造商编号：

FDP047N08

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 75V N-Channel PowerTrench

数据表:

FDP047N08 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	75 V
Id-连续漏极电流:	164 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	152 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	268 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Tube
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	114 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	147 ns
系列:	FDP047N08
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	220 ns
典型接通延迟时间:	100 ns
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

FDP047N08 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ONSEMI

80V Single N-Channel Power MOSFETs

Offer low R_DS(on) to minimize conduction losses & low QG and capacitance to minimize driver losses.

了解更多的信息

NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET

具有低RDS_(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。

了解更多的信息

NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET

针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。

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NTMFD0D9N02P1E MOSFET

一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。

了解更多的信息

NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET

专为紧凑高效的设计打造，兼具卓越的热性能。

了解更多的信息

库存量: 3,992

库存：: 3,992 可立即发货

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生产周期：: 19 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥38.2166	¥38.22
	¥19.7185	¥197.19
	¥19.6281	¥1,962.81
	¥17.628	¥8,814.00
	¥17.0291	¥17,029.10
	¥16.159	¥40,397.50