FDP2D3N10C

onsemi
512-FDP2D3N10C
FDP2D3N10C

制造商：

说明：
MOSFET PTNG 100/20V inTO220 3L JEDEC GREEN EMC

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
222 A
2.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
152 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
PowerTrench
Tube
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 32 ns
正向跨导 - 最小值: 222 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 35 ns
系列: FDP2D3N10C
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 74 ns
典型接通延迟时间: 42 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

库存量: 113

库存：
113
可立即发货
在途量:
800
预期 2026/9/7
800
预期 2027/3/19
生产周期：
53
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1   最多： 800
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥68.0712 ¥68.07
¥43.3468 ¥433.47
¥36.8945 ¥3,689.45
¥32.4197 ¥16,209.85

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。