FDP8D5N10C

onsemi
863-FDP8D5N10C
FDP8D5N10C

制造商：

说明：
MOSFET FET 100V 76A 8.5 mOhm

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
76 A
8.5 mOhms
20 V
2 V
34 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
Tube
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 4 ns
正向跨导 - 最小值: 68 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 11 ns
系列: FDP8D5N10C
工厂包装数量: 800
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

库存量: 1,294

库存：
1,294 可立即发货
该产品已停产，库存售罄后将不再提供。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥26.0578 ¥26.06
¥15.7183 ¥157.18
¥14.2267 ¥1,422.67
¥12.3283 ¥6,164.15

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