FDT86106LZ

onsemi
512-FDT86106LZ
FDT86106LZ

制造商：

说明：
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SOT-223-4
N-Channel
1 Channel
100 V
3.2 A
108 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
7 nC
- 55 C
+ 150 C
2.2 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
正向跨导 - 最小值: 8 S
产品类型: MOSFETs
系列: FDT86106LZ
工厂包装数量: 4000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 112 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

N通道PowerTrench® MOSFET

Fairchild Semiconductor N通道PowerTrench® MOSFET采用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench®工艺制成，此种工艺专门设计用以将通态电阻降至最低，同时保持出众的开关性能。Fairchild Semiconductor N通道PowerTrench® MOSFET具有30V-250V各种漏极至源极电压规格。

FDD10N20LZ和FDD7N25LZ均为N通道增强型模式功率场效应晶体管，采用Fairchild的专有平面条状和DMOS技术制成。该先进技术特别设计用于将通态电阻降至最低，提供出众的开关性能，且能承受雪崩和换流模式下的高能脉冲。这些器件非常适用于高效开关模式电源和主动功率因数校正。

FDMC6296是一款单N通道MOSFET，采用高热效率MicroFET封装。其经过特别设计以确保负载点转换器中的出色表现。通过提供rDS(on)和栅极电荷之间的最佳平衡，此器件可有效用作一个“高侧”控制开关或“低侧”同步整流器。
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PowerTrench® MOSFET

仙童 提供业界最齐全的 PowerTrench® MOSFET 产品组合。您可以从多种技术中选择适合您应用的 MOSFET。仙童 提供 N 沟道和 P 沟道版本的 MOSFET，利用其先进的 Power Trench® 工艺，该工艺经优化实现了低 RDS(ON) 开关性能和坚固性。这些 PowerTrench® MOSFET 可满足几乎任何应用的需要，如负载开关、一次开关、移动计算、直流-直流转换器、同步整流器等等。
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库存量: 9,890

库存：
9,890
可立即发货
在途量:
8,000
预期 2026/11/13
16,000
待定
生产周期：
53
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1   最多： 4000
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按4000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥18.6111 ¥18.61
¥9.0174 ¥90.17
¥8.0569 ¥805.69
¥6.4071 ¥3,203.55
¥6.0003 ¥6,000.30
¥5.6048 ¥11,209.60
整卷卷轴（请按4000的倍数订购）
¥5.3901 ¥21,560.40
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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