FDT86246L

Name: onsemi FDT86246L
Brand: onsemi
SKU: 512-FDT86246L
Price: 12.22 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

512-FDT86246L

制造商编号：

FDT86246L

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET

数据表:

FDT86246L 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-223-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	2 A
Rds On-漏源导通电阻:	452 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	800 mV
Qg-栅极电荷:	4.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2.2 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	2 ns
正向跨导 - 最小值:	7.3 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	1.3 ns
系列:	FDT86246L
工厂包装数量:	4000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	11 ns
典型接通延迟时间:	4.5 ns
单位重量:	112 mg

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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