FFSB3065B-F085

onsemi
863-FFSB3065B-F085
FFSB3065B-F085

制造商：

说明：
碳化硅肖特基二极管 650V 30A SIC SBD G EN1.5

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 109

库存：
109
可立即发货
在途量:
800
预期 2026/7/29
800
预期 2026/8/4
生产周期：
17
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1   最多： 180
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按800的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥75.3597 ¥75.36
¥51.4489 ¥514.49
¥37.8889 ¥3,788.89
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
¥37.8889 ¥30,311.12
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-2
Single
30 A
650 V
1.38 V
120 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSB3065B-F085
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
Pd-功率耗散: 246 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 800
子类别: Diodes & Rectifiers
商标名: EliteSiC
Vr - 反向电压 : 650 V
单位重量: 1.485 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

650V SiC肖特基二极管

安森美 (onsemi) 650V碳化硅 (SiC) 肖特基二极管与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。这些碳化硅肖特基二极管无反向恢复电流，并具有温度独立的开关特性及出色的热性能。该器件可实现如下系统优势：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。

宽禁带SiC器件

安森美 (onsemi) 宽禁带 (WBG) 碳化硅 (SiC) 器件采用全新技术，与硅器件相比，可提供更出色的开关性能和更高的可靠性。这些器件可实现多种系统优势，包括：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸以及降低成本。安森美的SiC产品系列包括650V和1200V二极管、650V和1200V IGBT以及SiC二极管功率集成模块 (PIM)、1200V MOSFET和SiC MOSFET驱动器，以及符合AEC-Q100标准的器件。

D2 EliteSiC二极管

onsemi D2 EliteSiC二极管是一系列高性能二极管，设计用于需要650V额定电压的应用。 onsemi D2提供多种封装选项，包括DPAK-3、D2PAK-2、D2PAK-3、PQFN-4、TO-220-2、TO-220-3、TO-247-2和TO-247-3。 这些二极管具有低电容电荷（QC），优化用于具有低正向电压的高速开关。由于具有各种特征，这些二极管非常适用于功率因数校正（PFC）和输出整流应用。

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