FFSH3065A

Name: onsemi FFSH3065A
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSH3065A
Price: 62.88 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-FFSH3065A

制造商编号：

FFSH3065A

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅肖特基二极管 650V 30A SIC SBD

数据表:

FFSH3065A 数据表

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	¥56.0028	¥560.03
	¥49.9573	¥5,994.88
	¥43.6745	¥22,274.00

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-2
配置:	Single
If - 正向电流:	30 A
Vrrm - 重复反向电压:	650 V
Vf - 正向电压:	1.5 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	150 A
Ir - 反向电流 :	200 uA
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	FFSH3065A
封装:	Tube
商标:	onsemi
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
Pd-功率耗散:	259 W
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	30
子类别:	Diodes & Rectifiers
商标名:	EliteSiC
Vr - 反向电压 :	650 V
单位重量:	5.321 g

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数据表

FFSH3065A 数据表

PCN

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

FFSH碳化硅肖特基二极管

安森美半导体FFSH碳化硅 (SiC) 肖特基二极管可提供更高的系统效率，最高结温为175º。这些肖特基二极管具有高浪涌电流能力，无开关损耗。这些二极管使用碳化硅半导体材料，不仅可提高工作频率、增加功率密度，还可降低系统尺寸/成本。这样可以确保在浪涌或过电压条件下保持高可靠性和稳健性。

宽禁带SiC器件

安森美 (onsemi) 宽禁带 (WBG) 碳化硅 (SiC) 器件采用全新技术，与硅器件相比，可提供更出色的开关性能和更高的可靠性。这些器件可实现多种系统优势，包括：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸以及降低成本。安森美的SiC产品系列包括650V和1200V二极管、650V和1200V IGBT以及SiC二极管功率集成模块 (PIM)、1200V MOSFET和SiC MOSFET驱动器，以及符合AEC-Q100标准的器件。

D1 EliteSiC二极管

安森美 (onsemi) D1 EliteSiC二极管是一套高性能、多功能解决方案，设计用于现代电力电子应用。安森美 (onsemi) D1的额定电压为650V、1200V和1700V。这些二极管可灵活地满足各种设计要求。D1 EliteSiC二极管采用不同封装，如D2PAK2、D2PAK3、TO-220-2、TO-247-2和TO-247-3，可为设计人员应用提供各种优化电路板空间和散热性能的选项。