FGH4L40T120LQD

Name: onsemi FGH4L40T120LQD
Brand: onsemi
SKU: 863-FGH4L40T120LQD
Price: 59.22 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-FGH4L40T120LQD

制造商编号：

FGH4L40T120LQD

制造商：

onsemi

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT AND FAST FRD

数据表:

FGH4L40T120LQD 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-4
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	1.55 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	80 A
Pd-功率耗散:	306 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	FGH4L40T120LQD
封装:	Tube
商标:	onsemi
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors

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数据表

FGH4L40T120LQD 数据表 (PDF)

PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 捷克共和国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 捷克共和国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

FGH4L40Tx 1200V/40A场截止型功率IGBT

安森美 (onsemi) FGH4L40Tx 1200V/40A场截止型功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）专为实现高效开关而设计，适用于要求严苛的电力应用。此系列IGBT具有低导通和开关损耗，适用于电机驱动器、不间断电源（UPS）系统和可再生能源逆变器。凭借强大的短路耐受能力和软开关性能，该系列IGBT在保持热稳定性的同时，能够支持高频操作。FGH4L40Tx IGBT基于安森美 (onsemi)场截止技术而优化，在硬开关和软开关拓扑结构中均能提供可靠性能，助力设计人员满足工业及能源系统对效率和功率密度的严苛要求。