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AFGB30T65RQDN IGBT - onsemi
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onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
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安森美 (onsemi) AFGB30T65RQDN绝缘栅极双极晶体管(IGBT)可为汽车应用提供最佳性能。 该IGBT具有大电流能力、快速开关、高输入阻抗和收紧的参数分布。AFGB30T65RQDN IGBT具有短路额定值,同时兼具高品质因数及低导通损耗和低开关损耗。 该IGBT满足AEC-Q101要求,无铅,符合RoHS标准。典型应用包括HEV/EV的电动压缩机和HEV/EV的PTC加热器。
特性
最高结温(T
J
):175°C
具有正温度系数,便于并联操作
大电流能力
高输入阻抗
快速开关
参数分布紧密
低饱和电压:V
CE(Sat)
=1.58V(典型值,I
C
=30A时)
符合 AEC-Q101
无铅
符合RoHS标准
应用
HEV/EV用电子压缩机
HEV/EV用PTC加热器
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发布日期: 2025-11-04 | 更新日期: 2025-12-29