FGH4L50T65MQDC50

Name: onsemi FGH4L50T65MQDC50
Brand: onsemi
SKU: 863-FGH4L50T65MQDC50
Price: 70.71 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-FGH4L50T65MQDC50

制造商编号：

FGH4L50T65MQDC50

制造商：

onsemi

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 50A FS4 HYBRID IGBT

寿命周期:

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-4LD
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.45 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	100 A
Pd-功率耗散:	246 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	FGH4L50T65MQDC50
封装:	Tube
商标:	onsemi
集电极最大连续电流 Ic:	100 A
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	450
子类别:	IGBTs
商标名:	EliteSiC

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数据表

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PCN

Product Change Notification 2025-8-7 (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

储能解决方案

onsemi储能系统（ESS）以不同的形式储存来自煤炭、核能、风能和太阳能等各种能源的电力，包括电池（电化学）、压缩空气（机械）和熔盐（热能）。该解决方案的重点是与太阳能逆变器系统相连的蓄电池储能系统。

FGH4L50T65MQDC50 650V场终止型中速IGBT

安森美 (onsemi) FGH4L50T65MQDC50 650V场终止型中速IGBT采用第4代场终止型IGBT技术和1.5 SiC肖特基二极管技术。安森美 (onsemi) FGH4L50T65MQDC50采用紧凑型TO-247 4引脚封装。此器件通过最大限度地降低导通和开关损耗来提高效率。FGH4L50T65MQDC50设计用于各种应用。