FGH75T65UPD

Name: onsemi FGH75T65UPD
Brand: onsemi
SKU: 512-FGH75T65UPD
Price: 56.44 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FGH75T65UPD

制造商编号：

FGH75T65UPD

制造商：

onsemi

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 150A 187W

寿命周期:

NRND:

不建议用于新设计。

数据表:

FGH75T65UPD 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	2.3 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	150 A
Pd-功率耗散:	187 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	FGH75T65UPD
封装:	Tube
商标:	onsemi
栅极—射极漏泄电流:	400 nA
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
单位重量:	6.390 g

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已选择的属性: 0

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 捷克共和国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

FGAFx0N60 Field Stop IGBTs

onsemi FGAFx0N60 650V Field Stop IGBTs use a novel field stop IGBT technology. These IGBTs feature high current capability, low saturation voltage, high input impedance, and fast switching. onsemi FGAFx0N60 IGBTs offer the optimum performance for solar inverters, UPS, welder, and PFC applications that require low conduction and switching losses.