跳到主内容

TTI Family of Specialists旗下成员联系贸泽（上海）免费电话: 400-821-6111反馈

更改位置中文¥ RMB

免费电话: 400-821-6111 更改位置

现货

RoHS

您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

看到错误？

FQP17P10

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FQP17P10

制造商编号：

FQP17P10

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 100V P-Channel QFET

寿命周期:

工厂特别订单:

获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。

数据表:

FQP17P10 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	16.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	39 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	100 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	QFET
封装:	Tube
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	100 ns
正向跨导 - 最小值:	9.9 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	200 ns
系列:	FQP17P10
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	45 ns
典型接通延迟时间:	17 ns
零件号别名:	FQP17P10_NL
单位重量:	2 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

FQP17P10 数据表 (PDF)

EOL

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 韩国
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ONSEMI

NVMTS1D1N08X N通道功率 MOSFET

80V汽车级MOSFET，具有低导通电阻和软恢复本体二极管。

了解更多的信息

80V单N沟道功率MOSFET

具有低R_DS(on)，可最大限度降低导通损耗，同时具备低QG和低电容，可最大限度减少驱动器损耗。

了解更多的信息

NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET

具有低RDS_(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。

了解更多的信息

NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET

针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。

了解更多的信息

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。

了解更多的信息

供货情况

库存：: 不可用

出现意外错误。请稍候重试。

定价 (含13% 增值税)

请求报价