HGTP10N120BN

512-HGTP10N120BN
HGTP10N120BN

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 35A 1200V N-Ch

寿命周期:
停产
数据表:
ECAD模型:
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供货情况

库存：

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
发货限制：
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RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.45 V
- 20 V, 20 V
35 A
298 W
- 55 C
+ 150 C
HGTP10N120BN
Tube
商标: onsemi
集电极最大连续电流 Ic: 35 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 800
子类别: IGBTs
零件号别名: HGTP10N120BN_NL
单位重量: 1.800 g
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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