NCP51561DBDWR2G

onsemi
863-NCP51561DBDWR2G
NCP51561DBDWR2G

制造商：

说明：
电流隔离式栅极驱动器 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 电流隔离式栅极驱动器
RoHS:  
NCP51561
SMD/SMT
SOIC-16
2 Channel
5 kVrms
- 40 C
+ 125 C
58 ns
11 ns
10 ns
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Dual
输入电压 - 最大值: 5 V
输入电压 - 最小值: 3 V
最大关闭延迟时间: 58 ns
最大开启延迟时间: 58 ns
激励器数量: 2 Driver
输出端数量: 2 Output
输出电流: 4.5 A, 9 A
输出电压: 18.5 V to 30 V
产品: Gate Driver
产品类型: Galvanically Isolated Gate Drivers
工厂包装数量: 1000
子类别: PMIC - Power Management ICs
电源电压-最大: 5 V
电源电压-最小: 3 V
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
日本
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NCP51561 5kVRMS隔离式双通道栅极驱动器

安森美半导体NCP51561 5kVRMS隔离式双通道栅极驱动器设计用于快速开关，以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET电源开关。4.5A/9.0A NCP51561栅极驱动器具有较短和匹配的传播延迟。两个独立和5kVRMS（符合UL1577标准）电流隔离栅极驱动器通道可用于两个低侧、两个高侧开关或一个具有可编程死区时间的半桥驱动器的任何可能配置。使能引脚在设置为低电平时同时关断两个输出。NCP51561栅极驱动器集成了其他重要保护功能，例如用于栅极驱动器和使能功能的独立欠压锁定。

工业电机驱动器

安森美电机驱动器设计用于实现全球可持续性，提供高效、可再生能源技术和智能电源。根据美国能源部 (DOE) 发布的《2020年电机系统市场分析报告》(MSMA)，工业泵和驱动器每年消耗全美电网近15%的电量。2020 MSMA还预测，使用VFD每年可以减少32.3万吨二氧化碳排放安森美制造各种VFD半导体元件，包括栅极驱动器、MOSFET、IGBT和EliteSiC。

栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET

电动汽车充电、能量储存、不间断电力系统 (UPS) 和太阳能等能源基础设施应用正在将系统功率水平提升到数百千瓦甚至兆瓦。这些大功率应用采用半桥、全桥和三相拓扑，逆变器和BLDC的工作循环多达六个开关。根据功率等级和开关速度，系统设计人员需要采用各种开关技术，包括硅、IGBT和SiC，以满足最佳应用要求。

库存量: 885

库存：
885 可立即发货
生产周期：
33 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥31.2671 ¥31.27
¥23.5718 ¥235.72
¥21.0067 ¥525.17
¥19.5264 ¥1,952.64
¥18.532 ¥4,633.00
¥16.7127 ¥8,356.35
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥16.046 ¥16,046.00

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