NTJS3151PT1G

onsemi
863-NTJS3151PT1G
NTJS3151PT1G

制造商：

说明：
MOSFET 12V 3.3A P-Channel

数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SC-88-6
P-Channel
1 Channel
12 V
3.3 A
133 mOhms
- 12 V, 12 V
1.2 V
8.6 nC
- 55 C
+ 150 C
625 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 1.5 ns
正向跨导 - 最小值: 15 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 1.5 ns
系列: NTJS3151P
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 3.5 ns
典型接通延迟时间: 0.86 ns
单位重量: 6.200 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
中国台湾
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NxJS3151P单P沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NxJS3151P单P沟道功率MOSFET是高性能MOSFET，设计用于高效开关应用。这些安森美 (onsemi) MOSFET采用紧凑的SC-88 (SOT-363) 2mm x 2mm封装，在-4.5V时提供仅45mΩ的RDS(on)，从而降低了导通损耗，并提高了热性能。NxJS3151P设备的最大漏极电流为-3.3A，漏源电压额定值为-12V，非常适合用于便携式和电池供电设备中的负载开关。超低栅极电荷和快速开关特性有助于提高能效，使安森美 (onsemi) NxJS3151P单P沟道功率MOSFET成为功率密度和可靠性至关重要的空间受限设计的理想选择。

库存量: 7,001

库存：
7,001 可立即发货
生产周期：
44 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥5.2093 ¥5.21
¥2.3278 ¥23.28
¥2.0453 ¥204.53
¥1.5481 ¥774.05
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥1.1752 ¥3,525.60
¥1.02604 ¥9,234.36
¥0.90965 ¥21,831.60
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:
NTJS3151PT2G
包装:
Reel, Cut Tape
供货情况:
库存量
单价:
¥5.4579
最小:
1

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