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NTMFS3D2N10MDT1G

Name: onsemi NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS3D2N10MDT1G
Price: 35.43 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTMFS3D2N10MDT1G

制造商编号：

NTMFS3D2N10MDT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL

数据表:

NTMFS3D2N10MDT1G 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	142 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	48 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	155 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	NTMFS3D2N10MD
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors

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数据表

NTMFS3D2N10MDT1G 数据表

PCN

Product Change Notification 2026-7-9 (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTMFS3D2N10MD N 通道 MOSFET

安森美 (onsemi) NTMFS3D2N10MD N沟道MOSFET设计采用先进的PowerTrench^® 工艺和屏蔽栅极技术。此工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻R_DS(on)，从而最大限度地降低导通损耗，同时仍然保持卓越的开关性能。NTMFS3D2N10MD MOSFET具有低Q_G 和电容值，可以最大限度地降低驱动器损耗，此外还具有低Q_RR 和软恢复体二极管，以及可以提高轻负载效率的低Q_OSS 。典型应用包括隔离式直流-直流转换器中的一次侧开关、交流-直流适配器、直流-直流和交流-直流中的同步整流、BLDC电机、负载开关和太阳能逆变器。

PowerTrench技术

安森美 (onsemi) PowerTrench技术代表了PowerTrench技术的进步，特别是从T6到T10的转变标志着电力电子产品领域的突破。由安森美 (onsemi) 开发的PowerTrench MOSFET可为各种应用提供增强的效率和性能。从T6/T8到T10的转变显著提高了导通电阻和开关性能，这对于节能设计至关重要。