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NTMFS4C302NT1G

Name: onsemi NTMFS4C302NT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS4C302NT1G
Price: 10.17 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NTMFS4C302NT1G

制造商编号：

NTMFS4C302NT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO

数据表:

NTMFS4C302NT1G 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO-8FL-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	230 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.15 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.2 V
Qg-栅极电荷:	82 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	96 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	11 ns
正向跨导 - 最小值:	135 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	19 ns
系列:	NTMFS4C302N
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	42 ns
典型接通延迟时间:	20 ns
单位重量:	750 mg

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数据表

NTMFS4C302NT1G 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

特色产品

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库存量: 146

库存：: 146 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 53 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按1500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥11.4921	¥11.49
	¥5.3901	¥53.90
	¥4.7799	¥477.99
	¥3.729	¥1,864.50
	¥2.9154	¥2,915.40
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥2.7685	¥4,152.75

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

NTMFS4C302NT1G

制造商： onsemi

说明： MOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO

规格

文件 (11)

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