NTMTSC4D3N15MC

onsemi
863-NTMTSC4D3N15MC
NTMTSC4D3N15MC

制造商:

说明:
MOSFET PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL COOL FOR INDUSTRIAL

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
Dual Cool 88-8
N-Channel
1 Channel
150 V
174 A
4.45 mOhms
20 V
4.5 V
79 nC
- 55 C
+ 175 C
293 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 最小值: 177 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 11 ns
系列: NTMTSC4D3N15MC
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 48 ns
典型接通延迟时间: 38 ns
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
韩国
发货时,国家/地区可能会发生变化。

单N沟道功率MOSFET

安森美半导体单N沟道功率MOSFET是一款小尺寸、设计紧凑的MOSFET,具有低RDS(on) 和低电容。低RDS(on) 值可最大限度降低导通损耗,低电容可最大限度降低驱动器损耗。这些单N沟道功率MOSFET不含铅,符合RoHS指令,工作温度范围为- 55°C至175°。

工业电机驱动器

安森美电机驱动器设计用于实现全球可持续性,提供高效、可再生能源技术和智能电源。根据美国能源部 (DOE) 发布的《2020年电机系统市场分析报告》(MSMA),工业泵和驱动器每年消耗全美电网近15%的电量。2020 MSMA还预测,使用VFD每年可以减少32.3万吨二氧化碳排放安森美制造各种VFD半导体元件,包括栅极驱动器、MOSFET、IGBT和EliteSiC。

供货情况

库存:
0

您可以延期订购此产品。

在途量:
172
预期 2026/11/13
生产周期:
53
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于172的订购须受最低订购要求的限制。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1   最多: 3000
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥67.2463 ¥67.25
¥40.8608 ¥408.61
¥39.4596 ¥3,945.96
¥32.4197 ¥32,419.70
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥30.6908 ¥92,072.40