NVMFD5C446NLWFT1G

onsemi
863-NVMFD5C446NLWFT
NVMFD5C446NLWFT1G

制造商：

说明：
MOSFET T6 40V LL S08FL DS

数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL-Dual-8
N-Channel
2 Channel
40 V
145 A
2.2 mOhms, 2.2 mOhms
20 V
1.2 V
54 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Dual
下降时间: 15.2 ns, 15.2 ns
正向跨导 - 最小值: 138 S, 138 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 16.8 ns, 16.8 ns
系列: NVMFD5C446NL
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 34.9 ns, 34.9 ns
典型接通延迟时间: 14.8 ns, 14.8 ns
单位重量: 161.193 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
日本
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVMFD5C功率MOSFET

安森美半导体NVMFD5C功率MOSFET符合AEC-Q101标准和生产件批准程序 (PPAP)，适合用于汽车应用。NVMFD5C MOSFET具有低导通电阻，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低总栅极电荷 (QG) 和低电容，可将驱动器损耗降到最低。这些功率MOSFET经100%雪崩测试，并具有可湿侧面选项，用于增强型光学检测。

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

库存量: 2,176

库存：
2,176 可立即发货
生产周期：
52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥54.2626 ¥54.26
¥28.7811 ¥287.81
¥26.216 ¥2,621.60
¥24.069 ¥12,034.50
¥22.3288 ¥22,328.80
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥22.3288 ¥33,493.20

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