NVMFD5C470NLET1G

onsemi
863-NVMFD5C470NLET1G
NVMFD5C470NLET1G

制造商：

说明：
MOSFET T6 40V LL S08FL DS

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
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库存量: 1,500

库存：
1,500 可立即发货
生产周期：
52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1   最多： 200
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥15.9782 ¥15.98
¥9.8197 ¥98.20
¥6.4975 ¥649.75
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥6.4975 ¥9,746.25

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
2 Channel
40 V
36 A
11.5 mOhms
20 V
2.2 V
9 nC
- 55 C
+ 175 C
46 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Dual
下降时间: 36 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 55 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 9.3 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
美国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVMFD5C功率MOSFET

安森美半导体NVMFD5C功率MOSFET符合AEC-Q101标准和生产件批准程序 (PPAP)，适合用于汽车应用。NVMFD5C MOSFET具有低导通电阻，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低总栅极电荷 (QG) 和低电容，可将驱动器损耗降到最低。这些功率MOSFET经100%雪崩测试，并具有可湿侧面选项，用于增强型光学检测。

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