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NVMFD5C680NLWFT1G

Name: onsemi NVMFD5C680NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFD5C680NLWFT
Price: 21.21 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NVMFD5C680NLWFT

制造商编号：

NVMFD5C680NLWFT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET T6 60V LL S08FL DS

数据表:

NVMFD5C680NLWFT1G 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO-8FL-Dual-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	26 A
Rds On-漏源导通电阻:	23 mOhms, 23 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.2 V
Qg-栅极电荷:	5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	19 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Dual
下降时间:	23 ns, 23 ns
正向跨导 - 最小值:	50 S, 50 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	25 ns, 25 ns
系列:	NVMFD5C680NL
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	13 ns, 13 ns
典型接通延迟时间:	6.4 ns, 6.4 ns
单位重量:	161.193 mg

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数据表

NVMFD5C680NLWFT1G 数据表

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVMFD5C功率MOSFET

安森美半导体NVMFD5C功率MOSFET符合AEC-Q101标准和生产件批准程序 (PPAP)，适合用于汽车应用。NVMFD5C MOSFET具有低导通电阻，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低总栅极电荷 (QG) 和低电容，可将驱动器损耗降到最低。这些功率MOSFET经100%雪崩测试，并具有可湿侧面选项，用于增强型光学检测。