NVMFS4C302NWFT1G

onsemi
863-NVMFS4C302NWFT1G
NVMFS4C302NWFT1G

制造商:

说明:
MOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL
N-Channel
1 Channel
30 V
241 A
1.15 mOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
82 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 9 ns
正向跨导 - 最小值: 135 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 18 ns
系列: NVMFS4C302N
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 54 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
单位重量: 187 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
日本
发货时,国家/地区可能会发生变化。

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美(onsemi)Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺(结合屏蔽栅极技术)生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化,可最大限度地降低导通电阻,另外还采用出色的软体二极管,可保持卓越的开关性能。

供货情况

库存:
无库存
生产周期:
45 周 预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1500   倍数: 1500
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
整卷卷轴(请按1500的倍数订购)
¥12.2379 ¥18,356.85