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NVMFS4C303NET1G

Name: onsemi NVMFS4C303NET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS4C303NET1G
Price: 10.69 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NVMFS4C303NET1G

制造商编号：

NVMFS4C303NET1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

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	¥7.5823	¥75.82
	¥5.0285	¥502.85
	¥3.9324	¥1,966.20
	¥3.6047	¥3,604.70
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥3.3109	¥4,966.35
	¥2.9832	¥13,424.40
	¥2.8589	¥25,730.10
	¥2.7911	¥66,986.40

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	1500

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已选择的属性: 0

CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

特色产品

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NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET

该器件具有低Q_RR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。

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NVMFD5877NL双N沟道MOSFET

专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。

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FDC642P-F085小信号MOSFET

采用高性能沟槽技术，具备极低R_DS(on)和快速开关速度。

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NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET

采用PowerTrench技术打造，具备极低R_DS(on)、快速开关性能及耐用性。

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NVMFS4C303NET1G

制造商： onsemi

说明： MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

库存量: 1,350

定价 (含13% 增值税)

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Trench6 N沟道MV MOSFET

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