NVMFS5C420NET1G

onsemi
863-NVMFS5C420NET1G
NVMFS5C420NET1G

制造商：

说明：
MOSFET T6 40V SG

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
ECAD模型:
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库存量: 1,496

库存：
1,496 可立即发货
生产周期：
29 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥23.7074 ¥23.71
¥15.368 ¥153.68
¥10.5994 ¥1,059.94
¥8.5654 ¥4,282.70
¥8.0004 ¥8,000.40
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥8.0004 ¥12,000.60

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
268 A
1.1 mOhms
20 V
4 V
82 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: US
下降时间: 20 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 19 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 54 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

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