NVMFS5C612NLET1G

Name: onsemi NVMFS5C612NLET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS5C612NLET1G
Price: 42.58 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NVMFS5C612NLET1G

制造商编号：

NVMFS5C612NLET1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

寿命周期:

新产品:

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数据表:

NVMFS5C612NLET1G 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	250 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.36 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	91 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	167 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	18 ns
正向跨导 - 最小值:	151 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	51 ns
系列:	NVMFS5C612NL
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	47 ns
典型接通延迟时间:	19 ns

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数据表

NVMFS5C612NLET1G 数据表 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-7-9 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

N通道40V和60V汽车用功率MOSFET

安森美半导体NVMFSCx 40V和60V汽车用功率MOSFET采用5mm x 6mm双面冷却封装，非常适合紧凑高效的设计。这些单N通道器件具有1.5mΩ和0.9mΩ R_DS(on)（漏极-源极导通电阻），可最大限度降低导通损耗。该MOSFET包含可湿性侧翼选项，用于增强光学检测。该器件还符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，因此适合用于汽车应用。

NVMFS5C612N汽车用功率MOSFET

onsemi NVMFS5C612N汽车功率MOSFET具有低R_DS(on) 、Q_G 和栅极电容，可最大限度地降低传导和开关损耗。onsemi NVMFS5C612N汽车MOSFET采用5mm×6mm扁平引线封装，专为实现高散热性能而设计。典型应用包括反向电池保护、开关电源、电源开关、电磁阀驱动器、电机控制和负载开关。

NVMx和NVTx功率MOSFET

安森美半导体NVMx和NVTx功率MOSFET符合AEC−Q101标准，可为汽车应用提供紧凑高效的解决方案。NVMx和NVTx功率MOSFET具有低R_DS(on)，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低QG和电容，可将驱动器损耗降到最低。这些单N通道MOSFET采用紧凑型SO-8FL和WDFN8封装，无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令。
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