NVMFS6H858NLT1G

Name: onsemi NVMFS6H858NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS6H858NLT1G
Price: 10.61 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NVMFS6H858NLT1G

制造商编号：

NVMFS6H858NLT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET T8 80V LL SO8FL

数据表:

NVMFS6H858NLT1G 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO-8FL-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	30 A
Rds On-漏源导通电阻:	19.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	12 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	42 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	NVMFS6H858NL
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
单位重量:	187 mg

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数据表

NVMFS6H858NLT1G 数据表 (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Trench8 MOSFET

onsemi Trench8 MOSFET具有低最大导通电阻 (R_DS(ON))、超低栅极电荷 (Q_g) 和低 Q_g x R_DS(ON)，后者是功率转换应用MOSFET的关键品质因数 (FOM)。Trench8 MOSFET具有基于T6技术的优化开关性能，与Trench6系列相比，Q_g 和Q_oss 分别降低了35%至40%。Onsemi Trench8 MOSFET采用多种封装类型，设计灵活。符合AEC-Q101标准，并具有PPAP功能，适合用于汽车应用。其中许多器件采用侧面可润湿封装，可进行自动光学检测（AOI）。