NVMFWS004N10MCT1G

Name: onsemi NVMFWS004N10MCT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS004N10MCT1G
Price: 30.16 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-VMFWS004N10MCT1G

制造商编号：

NVMFWS004N10MCT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PTNG 100V STD SO8FL

数据表:

NVMFWS004N10MCT1G 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	138 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	48 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	164 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	13 ns
正向跨导 - 最小值:	120 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	18 ns
系列:	NVMFWS004N10MC
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	39 ns
典型接通延迟时间:	25 ns

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数据表

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PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVMFWS004N10MC单N沟道功率MOSFET

安森美半导体NVMFWS004N10MC单N沟道功率MOSFET具有138A连续漏极电流、3.9mΩ R_{DS (ON)}（10V时）以及100V漏极-源极电压。NVMFWS004N10MC采用5mm x 6mm扁平引线封装，开发用于紧凑高效的设计。安森美半导体符合AEC-Q101标准的MOSFET具有PPAP功能，非常适合用于汽车应用。

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库存量: 2,981

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生产周期：: 53 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥34.0808	¥34.08
	¥17.6167	¥176.17
	¥15.9669	¥1,596.69
	¥13.1532	¥6,576.60
	¥11.6616	¥11,661.60
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥11.6616	¥17,492.40

NVMFWS004N10MCT1G

制造商： onsemi

说明： MOSFET PTNG 100V STD SO8FL

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文件 (3)

数据表

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