NXH100B120H3Q0PTG

onsemi
863-NXH100B120H3Q0PG
NXH100B120H3Q0PTG

制造商：

说明：
IGBT 模块 PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN TIM)

数据表:
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库存量: 28

库存：
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生产周期：
21 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于28的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥528.9643 ¥528.96
¥423.0946 ¥4,230.95
¥423.0042 ¥50,760.50
504 报价

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: IGBT 模块
RoHS:  
SiC IGBT Modules
Dual
1.2 kV
1.77 V
50 A
800 nA
186 W
Q0BOOST
- 40 C
+ 150 C
Tray
商标: onsemi
栅极/发射极最大电压: 20 V
安装风格: Press Fit
产品类型: IGBT Modules
系列: NXH100B120H3Q0
工厂包装数量: 24
子类别: IGBTs
技术: SiC
商标名: EliteSiC
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8504409100
USHTS:
8541290095
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

功率集成模块 (PIM)

安森美 (onsemi) 半导体功率集成模块 (PIM) 利用汽车点火IGBT和智能功率模块 (IPM) 开发方面的丰富经验以及封装专业技术制造而成，是符合严格行业标准的电源解决方案。这些半导体模块解决方案为用户提供了针对硅和封装的完全集成供应链，可确保高质量和成本效益。功率集成模块具有电源开关和整流器，提供各种拓扑。常见的拓扑包括带输入桥整流和制动的三相逆变器级、升压转换器和多级逆变器。

NXH100B120H3Q0双升压电源模块

安森美 (onsemi) NXH100B120H3Q0双升压电源模块具有高效率和出色的可靠性。NXH100B120H3Q0集成了场终止型沟槽IGBT和碳化硅二极管，可降低传导损耗和开关损耗。NXH100B120H3Q0双升压电源模块非常适合用于能量存储系统、太阳能逆变器和不间断电源应用。

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