SZNZ8P12VMX2WT5G

Name: onsemi SZNZ8P12VMX2WT5G
Brand: onsemi
SKU: 863-SZNZ8P12VMX2WT5G
Price: 1.39 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-SZNZ8P12VMX2WT5G

制造商编号：

SZNZ8P12VMX2WT5G

制造商：

onsemi

说明：

Transient Voltage Suppression Diodes - TVS ESD Protection Diode 12V Protection Diode, Automotive

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

SZNZ8P12VMX2WT5G 数据表 (PDF)

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数量	单价	总价
	¥1.5707	¥1.57
	¥0.94242	¥9.42
	¥0.73563	¥73.56
	¥0.69495	¥347.48
	¥0.66218	¥662.18
	¥0.62828	¥1,570.70
整卷卷轴（请按8000的倍数订购）
	¥0.62037	¥4,962.96

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	瞬态电压抑制二极管 - TVS
RoHS:
极性:	Unidirectional
通道数量:	1 Channel
工作电压:	12 V
端接类型:	SMD/SMT
钳位电压:	17 V
击穿电压:	14.5 V
封装 / 箱体:	X2DFNW2-2
Ipp - 峰值脉冲电流:	7 A
Vesd - 静电放电电压触点:	30 kV
Vesd - 静电放电电压气隙:	30 kV
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	NZ8P
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
Pd-功率耗散:	5 W
产品:	ESD Suppressors
工厂包装数量:	8000
子类别:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes

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已选择的属性: 0

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数据表

SZNZ8P12VMX2WT5G 数据表 (PDF)

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100030
USHTS:: 8541100050
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

NZ8P齐纳保护二极管

安森美 (onsemi) NZ8P齐纳保护二极管旨在保护敏感电子组件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。NZ8P二极管具有低钳位电压和快速响应时间，非常适合用于高速数据线和低压应用。NZ8P的击穿电压范围为3.6V至48.5V，最大反向漏电流为1μA（典型值），可提供可靠的过压保护，同时不会影响信号完整性。此系列二极管采用紧凑型X2DFNW2表面贴装封装，支持空间受限的设计和自动化组装工艺。安森美 (onsemi) NZ8P组件符合IEC 61000-4-2 ESD保护标准，非常适合用于便携式设备、通信设备及其他需要强大高效电路保护的消费类电子产品。