FGD3N60UNDF

512-FGD3N60UNDF
FGD3N60UNDF

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT

寿命周期:
停产
数据表:
ECAD模型:
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供货情况

库存：

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
发货限制：
 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
DPAK-3 (TO-252-3)
SMD/SMT
Single
600 V
2 V
- 20 V, 20 V
6 A
60 W
- 55 C
+ 150 C
FGD3N60UNDF
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
集电极最大连续电流 Ic: 3 A
栅极—射极漏泄电流: 10 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 2500
子类别: IGBTs
单位重量: 260.370 mg
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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