NXH030P120M3F1PTG

Name: onsemi NXH030P120M3F1PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH030P12M3F1PTG
Price: 523.01 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NXH030P12M3F1PTG

制造商编号：

NXH030P120M3F1PTG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET模块 30M 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE

数据表:

NXH030P120M3F1PTG 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	SiC
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	PIM-18
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	42 A
Rds On-漏源导通电阻:	38.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.4 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	100 W
系列:	NXH030P120M3F1PTG
封装:	Tray
商标:	onsemi
配置:	Half-Bridge
下降时间:	9.4 ns
高度:	12.35 mm
长度:	63.3 mm
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	6.6 ns
工厂包装数量:	28
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	EliteSiC
类型:	Half Bridge
典型关闭延迟时间:	84.8 ns
典型接通延迟时间:	19.6 ns
宽度:	34.1 mm

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数据表

NXH030P120M3F1PTG 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NXH0xxP120M3F1碳化硅 (SiC) 模块

安森美 NXH0xxP120M3F1碳化硅 (SiC) 模块包含基于半桥拓扑的8mΩ/1200V、10mΩ/1200V、15mΩ/1200V和30mΩ/1200V M3S SiC MOSFET，以及一个采用F1封装的热敏电阻。这些模块有带预涂热界面材料 (TIM) 和不带预涂TIM的选项。 NXH0xxP120M3F1模块设计采用压配引脚，无铅、无卤，符合RoHS指令。这些电源模块用于太阳能逆变器、工业电源、电动汽车 (EV) 充电站和不间断电源 (UPS)。