NXH030P120M3F1PTG

onsemi
863-NXH030P12M3F1PTG
NXH030P120M3F1PTG

制造商：

说明：
MOSFET模块 30M 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
ECAD模型:
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库存量: 25

库存：
25 可立即发货
生产周期：
19 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥633.93 ¥633.93
¥527.3145 ¥5,273.15
¥480.25 ¥53,788.00

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
SiC
Screw Mount
PIM-18
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
42 A
38.5 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
- 40 C
+ 150 C
100 W
NXH030P120M3F1PTG
Tray
商标: onsemi
配置: Half-Bridge
下降时间: 9.4 ns
高度: 12.35 mm
长度: 63.3 mm
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 6.6 ns
工厂包装数量: 28
子类别: Discrete and Power Modules
商标名: EliteSiC
类型: Half Bridge
典型关闭延迟时间: 84.8 ns
典型接通延迟时间: 19.6 ns
宽度: 34.1 mm
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NXH0xxP120M3F1碳化硅 (SiC) 模块

安森美  NXH0xxP120M3F1碳化硅 (SiC) 模块包含基于半桥拓扑的8mΩ/1200V、10mΩ/1200V、15mΩ/1200V和30mΩ/1200V M3S SiC MOSFET，以及一个采用F1封装的热敏电阻。这些模块有带预涂热界面材料 (TIM) 和不带预涂TIM的选项。 NXH0xxP120M3F1模块设计采用压配引脚，无铅、无卤，符合RoHS指令。这些电源模块用于太阳能逆变器、工业电源、电动汽车 (EV) 充电站和不间断电源 (UPS)。

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