Avalanche Technology 并行P-SRAM存储器
Avalanche Technology并行持久性SRAM存储器是磁阻随机存取存储器 (MRAM)，具有1Mb至32Mb密度范围。P-SRAM存储器的工作电压范围为2.7V至3.6V。P-SRAM存储器采用小占位面积54引脚TSOP、44引脚TSOP和48焊球FBGA封装。这些封装与类似的低功耗易失性和非易失性产品兼容。这些并行持久性SRAM存储器的工作温度范围为-40℃至+85℃（工业）和-40℃至+105℃（工业扩展）。
MRAM技术类似于闪存技术，具有SRAM兼容读/写计时（持久性SRAM/P-SRAM）。MRAM是一款真正的随机存取存储器，支持在存储器中随机读写。MRAM特别适合于那些必须以极小延迟存储和检索数据的应用。该技术具有低延迟、低功耗、几乎无限的耐久性和数据保持力、高性能以及可扩展的内存技术。
特性
- 接口：
- 异步并行x16
- 技术:
- 40nm pMTJ STT-MRAM：
- 几乎无限的耐久性和数据保持力
- 40nm pMTJ STT-MRAM：
- 密度：
- 1Mb、4Mb、8Mb、16Mb和32Mb
- 工作电压范围：
- VCC：2.7V至3.6V
- 工作温度范围：
- 工业：-40°C至85°C
- 工业扩展：-40°C至+105°C
- 封装：
- 44引脚TSOP (10mmx18mm)
- 54引脚TSOP (10mmx22mm)
- 48焊球FBGA (10mmx10mm)
- 存储器阵列组织：
- 1Mbit: 65,536 x 16
- 4Mbit: 262,144 x 16
- 8Mbit: 524,288 x 16
- 16Mbit: 1,048,576 x 16
- 32Mbit: 2,097,152 x 16
- 符合RoHS指令
框图
相关P-SRAM存储器
Avalanche Technology Serial P-SRAM Memory
Offers a density range from 1Mbit to 16Mbit, low latency, and low power.
发布日期: 2021-01-21
| 更新日期: 2022-03-11