贸泽电子 - 博客
Bench Talk for Design Engineers | The Official Blog of Mouser Electronics
大功率超级快充来袭,哪些元器件需要更换?
2022 年 8 月 11 日, 作者
Doctor M
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电源
在电动化趋势推动之下,新能源汽车产业拾级而上,燃油车全面退出已成为不可逆转的趋势。EV Volumes数据显示,2021年全球新能源汽车销量为675万辆,同比增长108%,渗透率突破8.3%。显而易见,随着新能源汽车“三电系统”,电池、电驱、电控等技术在创新升级中逐步完善,新能源汽车市场渗透率将大幅提升,逐渐完成“政策驱动”向“市场驱动”的过渡。
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电源
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快充
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元器件
电源管理智能化之路
2022 年 6 月 15 日, 作者
Doctor M
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电源
电源管理技术作为电气化时代各行各业发展必不可少的一项技术,是提升终端设备能效的主要途径。从系统层面看,电源管理系统让设备实现了稳定性、低功耗、高性能,在节能减排的大趋势下,这项优势会愈发突出;从器件层面看,电源管理芯片和模拟芯片等器件负责系统中电能的转换、配电、检测和其他电源管理,性能的优劣将通过电源管理系统真实地反馈在设备性能上。
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电源
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电源管理
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绿色电源
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智能电源
幕后英雄,细数被动元件在电源模块中的作用
2022 年 6 月 9 日, 作者
Doctor M
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电源
被动元件通常也被称为无源器件,这些元器件内部没有任何形式的电源,只能被动顺从地响应电信号。在具体电路中,被动元件不影响信号的基本特征,仅仅是让信号通过,而并未加以更改。
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被动器件
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电源
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电源管理
四招搞定开关电源EMI
2022 年 6 月 2 日, 作者
Doctor M
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电源
开关电源作为当下电控系统中的基础、主流的装置,被广泛应用于计算机、通信、电子设备等诸多应用,且由于其不存在替代设备,因此市场规模十分庞大。随着“低碳时代”的到来,电子设备日趋小型化、轻薄化、节能化,开关电源的市场规模也迎来了进一步的增长。
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EMI
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电源
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电源管理
无线充电为何不适合功率竞赛
2022 年 5 月 16 日, 作者
Doctor M
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无线充电
科技的发展让我们离“束缚”越来越远。对于各类电子产品来说,充电器是非常重要的配件。当我们向移动和便携式设备充电时,当前比较普遍的方法是用有线充电器进行供电,但是疯狂缠绕的充电线让处于万物便捷时代的我们觉得失去了自由。
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电源
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无线充电
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转化效率
如何提高系统功率密度
2022 年 5 月 3 日, 作者
Doctor M
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电源
消费电子的小型化、一体化,汽车和工业设备的智能化,几乎都是各行业不可逆的发展趋势。在这样的大趋势下,系统设计面临着一个共同的难题:如何在有限的空间内实现更高的功率?
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电源
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电源管理
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功率密度
如何化解第三代半导体的应用痛点
2022 年 4 月 19 日, 作者
Doctor M
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宽禁带
在集成电路和分立器件领域,硅始终是应用最广泛、技术最成熟的半导体材料,但硅材料技术的成熟恰恰意味着难以突破瓶颈。为了打破固有屏障,半导体产业进一步深入对新材料、新工艺、新架构的探索。凭借着在功率、射频应用中的显著性能优势,第三代半导体逐渐显露出广阔的应用前景和市场发展潜力。
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电源
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技术特点
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解决⽅案
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宽禁带
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应用
从五大发展趋势看将来如何选择电源管理芯片
2022 年 4 月 19 日, 作者
Doctor M
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电源
作为电子系统中必不可少的部分,电源模块极最常见,同时也是极考验硬件工程师功力的部分之一。电源模块是电子系统中对电能实现转换、分配、控制和监测等功能的子系统,整个电子系统的功耗、性能、成本和体积都与电源模块设计直接相关。现代大型电子系统正在向高集成、高速、高增益、高可靠性方向发展,电源上的微小干扰都会对电子设备性能产生影响,这就需要设计出低噪声、抗纹波能力强的电源模块;而在便携式设备中,电池供电情况越来越多,这就对续航时间提出了高要求,这通常对应着其电源模块高效、高可靠和低静态电流的极致要求。
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电源
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电源管理
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电源技术
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电源模块
除了氮化镓,快充技术还须关注哪些领域?
2022 年 4 月 13 日, 作者
Doctor M
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宽禁带
氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成为第三代半导体,其禁带宽度约是硅器件的3倍,击穿场强约是硅器件的10倍,因而具有更高的耐压能力以及更低的导通压降,转换效率高,也更适应高温工作环境。与硅材料和SiC相比,GaN材料电子饱和漂移速率更高,适合高频率应用场景,因而在电力电子应用中,GaN器件可以在MHz以上频率工作,大大减小了对外围电路中电感器件的要求,从而可以成倍减少设备体积,减少铜等高成本原材料的用量,在开关电源应用上,明显优于硅器件。
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GaN
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电源
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快充电
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宽禁带
功率电子、5G、新能源汽车:三大目标市场中,第三代半导体器件的机会在哪里?
2022 年 2 月 11 日, 作者
Doctor M
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宽禁带
第三代半导体指以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)和金刚石为代表的化合物半导体,该类半导体材料禁带宽度大于或等于2.2eV,因此也被称为宽禁带(WBG)半导体材料。
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5G
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半导体
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电力电子
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电源
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